专利名称：集成电路溅射用钽靶的制备方法专利类型：发明专利
发明人：徐嘉立,欧鹏,楚增勇,吴韡,刘志宇申请号：CN201711477816.3申请日：20171229公开号：CN108193177A公开日：20180622
摘要：本发明公开了一种集成电路溅射用钽靶的制备方法，方法包含如下步骤：制备钽锭；将获得的钽锭在锻压设备下开坯拔长，使钽锭内部晶粒初步破碎，根据靶材所需要的尺寸定尺下料，形成钽金属坯料；将钽金属坯料酸洗后，放入高真空电阻炉中热处理；将热处理后的钽金属坯料进行镦粗处理；将镦粗处理后的钽金属坯料酸洗后再次放入高真空电阻炉中热处理；将再次热处理后的钽金属坯料进行压延轧制，直到达到靶材要求的基本尺寸；将压延轧制处理后的钽金属坯料再次酸洗后，放入高真空电阻炉中进行最后一次热处理，消除钽金属坯料的内部应力，然后进行坯板校平，板面精加工得到成品靶材。通过该方法制备的靶材晶粒大小40‑100um，织构均匀，纯度为大于5N。
申请人：株洲稀美泰材料有限责任公司
地址：412200 湖南省株洲市荷塘区新华西路819号富华商业广场1栋1726号
国籍：CN
代理机构：深圳市千纳专利代理有限公司
代理人：何耀煌
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