专利名称：一种3R相过渡金属硫属化合物二维纳米片的制备方
法
专利类型：发明专利
发明人：郝国林,段卓君,张婵,周国梁,何艳兵,陈涛申请号：CN201911312165.1申请日：20191218公开号：CN110790313A公开日：20200214
摘要：本发明公开了一种3R相过渡金属硫属化合物二维纳米片的制备方法。制备方法包括：将过渡金属氧化物粉末均匀洒到基底上，随后在该基底左右两端各放置一块极小的载玻片，然后用另一片基底盖在上面，形成类“三明治”结构的微型反应空间，通过使用常压化学气相沉积法进行3R相过渡金属硫属化合物二维纳米片的生长。本发明通过改变限域空间的大小，可以实现对纳米片层数和尺寸的有效调控。本发明所得3R相具有非中心对称的ABC堆垛；这一特殊性质使得3R相过渡金属硫属化合物二维纳米片在非线性光学器件中具有广泛的应用；且依据本发明的实验方法，可实现多种过渡金属硫属化合物材料的3R相二维纳米片的制备。
申请人：湘潭大学
地址：411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
国籍：CN
代理机构：湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)
代理人：冷玉萍
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