使用班级：10级15班 班级__________ 姓名__________ 学号_________ 成绩___________
一．判断题(答案填在表格中，对的打√，错的打×)(2'×10) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 （1)在半导体内部，只有电子是载流子.
（2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
（3）一般来说,硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 （4）在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 （5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流ICQ选得偏低。
(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。
(7)三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 （8）在单管放大电路中，若VG不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。
(9）两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为Av1、Av2，这两个放大器连成两级放大器后,总的放大倍数为Av，Av= Av1+Av2。 （10）晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大。
二．选择题（2'×10） 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (1）当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（ )。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 （2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为（ )。 A．vo＝icRc B．vo ＝-Rcic C．vo ＝—IcRc
（3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡
(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于（)。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关
(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（ )。
A．随IB增加而增加 B．随IB增加而减小 C．与IB无关,只决定于RC和VG （6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（ ）。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180°
（7）NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时,则晶体三极管（ )。
A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压VCE下降； C．集电极对发射极电压VCE上升 （8）当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（ )。 A．增大 B．反向 C．中断
（9)在基本放大电路中，基极电阻RB的作用是（ )。 A．放大电流 B．调节偏置电流IBQ
C．把放大了的电流转换成电压; D．防止输入信导被短路。
（10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（ ）。 A。放大状态 B。饱和状态 C。截止状态
三．填充题 (2’×10)
(1)晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是__________________，△IC／△IB的比值叫____________________.
（2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。
（4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位VC≈VG,则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 （7)晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。
2010—2011学年度第二学期2010级《电子线路》期末考试试卷（共2页第二页）
使用班级：10级15班 班级__________ 姓名__________ 学号_________ 成绩___________
（8)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_________________________。 (9)放大器的静态是指_____________________________时的工作状态。
(10)共发射极电路的输出电压与输入电压有_____________________的相位关系，所以该电路有时被称为_________________________。
四．问答题 （2×10’）
（1)两个稳压二极管，稳压值分别为7V和9V，将它们组成图所示两种电路,设输入端电压V1值是20V，求各电路输出电压V2的值是多少?
(2)图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态(NPN管为硅管，PNP管为锗管）.
五．计算题 (20')
如图所示单管放大电路中,设晶体管的β＝40，rbe＝1。4kΩ。 ①估算电路的静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ; ②估算放大倍数.
2005—2006学年度第一学期2004级《数学》期末考试答案（共1页第一页）
出卷人： 凌 波
一．判断题（答案填在表格中，对的因√,错的因×)（2'×10） 1 ×
二．选择题(将正确答案填人表格内） （2'×10） 1 C
三．填空题（1’×20）
1。 IE=IB+IC，交流电流放大系数β 2. 单向导电性，正偏，反偏 3。 0。7V，0。3V 4。 N，N，P 5。 反向，击穿,烧毁 6. 饱和 7。 大得多，硅 8. 增大
9。 没有输入信号 10. 倒向，反相器 四．问答题 (2×10’) (1）（a）7V
(b）16V （b）截止状态 （c）截止状态 （d）饱和状态 （2）(a）放大状态
2 B 3 A 4 C 5 C 6 C 7 B 8 C 9 B 10 C 2 × 3 × 4 √ 5 × 6 × 7 √ 8 × 9 × 10 √ 五．计算题 （20’） 解：（1)
IBQ=(VG-VBEQ）/Rb=(12—0.7）V/400KΩ≈28uA ICQ=βIBQ=40＊28uA≈1。1mA
VCEQ= VG-ICQRc=12V—1.1*5，1V≈6。4V （2）Av≈-βRc/rbe=—40*5.1/1。4≈—146
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