专利名称：一种长波长GaAs基MSM和PHEMT单片集成光探
测器
专利类型：发明专利
发明人：王智勇,郑建华,高鹏坤,王青申请号：CN201410310137.7申请日：20140701公开号：CN104091812A公开日：20141008
摘要：本发明公开了一种长波长GaAs基MSM和PHEMT单片集成光探测器，该结构由GaAs基PHEMT和MSM两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述MSM被腐蚀截止层隔开；本发明将GaAs基PHEMT和长波长MSM集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基PHEMT和MSM长波长光电探测器。InGaP将PHEMT和MSM隔开，并在腐蚀过程中，起到腐蚀截止作用。本发明提供的这种单片集成GaAs基PHEMT和MSM材料结构，还有利于减小器件尺寸，缩短传输线长度，减少RC延迟时间。另外，本发明提供的这种单片集成GaAs基PHEMT和MSM材料结构，可以实现更为复杂的电路。
申请人：北京工业大学
地址：100124 北京市朝阳区平乐园100号
国籍：CN
代理机构：北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人：沈波
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