一种纳米材料透射电镜原位测试芯片、芯片制备方法及其应用

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510476900.8 （22）申请日 2015.08.06 （71）申请人 南京大学

地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

（10）申请公布号 CN105136822A

（43）申请公布日 2015.12.09

（72）发明人 王鹏;蔡嵩骅;古宸溢;王双宝 （74）专利代理机构 南京知识律师事务所

代理人 蒋海军

（51）Int.CI

G01N23/00; H01J37/20; B81C1/00; B81B7/02;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种纳米材料透射电镜原位测试芯片、芯片制备方法及其应用

（57）摘要

本发明公开了一种纳米材料透射电镜原位

测试芯片、芯片制备方法及其应用，属于纳米材料性能原位测试技术领域。本发明的芯片包括硅基片、绝缘层和薄膜窗口，在硅基片两面都长有绝缘层；芯片正面绝缘层上长有金属薄膜或器

件，或者半导体功能薄膜或器件，可对样品施加各类物理、化学作用；芯片中央有薄膜窗口，在薄膜窗口区域开有大长宽比透电子束长孔或透电子束长槽，本发明能够在原子尺度分辨率下对透射电镜样品进行原位测量，除了可原位表征纳米线、纳米管样品外，也可实现块体样品、异质结界面样品的原位表征，同时能够实现在聚焦离子束系统内和实验室中用微操作手放置样品，也可以对已转移固定在芯片上的样品使用离子减薄设备进行继续加工。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2015-12-09 公开 2015-12-09 公开

2016-01-06 实质审查的生效 2016-01-06 实质审查的生效 2018-03-06

授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

一种纳米材料透射电镜原位测试芯片、芯片制备方法及其应用的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种纳米材料透射电镜原位测试芯片、芯片制备方法及其应用的说明书内容是....请下载后查看