（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201911335647.9 （22）申请日 2019.12.23
（71）申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司
地址 710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
（10）申请公布号 CN110983429A
（43）申请公布日 2020.04.10
（72）发明人 蒲以松;惠聪
（74）专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 许静
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
单晶炉及单晶硅制备方法
（57）摘要
本发明提供了一种单晶炉及单晶硅制备方
法，属于半导体技术领域。单晶炉，包括：炉体；位于所述炉体内的石墨坩埚；位于所述石墨坩埚内的石英坩埚，所述石英坩埚用于盛装待熔化的多硅晶料；与所述炉体同轴、圆筒状的侧石墨加热器，套设在所述石墨坩埚外侧；设置在所述石墨坩埚底部的下石墨加热器；位于所述石英坩埚上方的导流筒；位于所述石英坩埚和所述导流筒之间的上加热器；位于所述导流筒的上端外
侧、且位于所述侧石墨加热器上方的上保温罩；设置在所述上保温罩上方的保温盖；设置在所述保温盖与所述炉体的内壁接触位置处的圆形环状石墨件。本发明能够提供均匀可控的热环境，加快传热效率，提高单晶硅棒的产率，保证所拉制单晶硅棒的质量。
法律状态
法律状态公告日2020-04-10 2020-04-10 2020-05-05
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
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说明书
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