闪存都分为哪些种类?

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除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash闪存芯片了。NAND Flash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell),因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动,所以英特尔固态硬盘(15张)其速度表现更好,目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。MLC全称是多层式储存(Multi Leveled Cell),它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息,这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存,其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本,从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过,MLC的缺点也很明显,其写入寿命较短,读写方面的能力也比SLC低,官方给出的可擦写次数仅为1万次。TLC即Triple-cell-per-bit,由于采用三层存储单元,因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲,SLC只有两个电平状态,MLC则为4个,TLC则多达8个,同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%,因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。由于TLC拥有多达8个电平状态,因此在电位控制上更加复杂,特别是写入速度会大受影响,延迟增加。加之如此多的电平状态,电子一旦溢出变会非常容易导致出错,难以控制,这就是为什么需要更强ECC纠错能力的原因,否则TLC闪存的寿命将会不堪一击。

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主要分为NOR的型和NAND的型两大类。NOR的型与NAND的型闪存的区别很大,打个比方说,NOR的型闪存更像内存,有的地址线和数据的线,但价格比较贵,容量比较小;而NAND的型更像硬盘,地址的线和数据的线是共用的I/O线,类似硬盘的信息都通过一条硬盘线一样传送,而且NAND的型与NOR型闪存相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,手机就是使用NOR型闪存的大户,所以手机的“内存”容量通常不大;NAND型闪存主要用来存储资料,我们常用的闪存产品,如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

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闪存目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻译成中文就是\"闪动的存储器\",通常把它称作\"快闪存储器\",简称\"闪存\"。闪存盘是一种移动存储产品,可用于存储任何格式数据文件便于随身携带,是个人的“数据移动中心”。闪存盘采用闪存存储介质(Flash Memory)和通用串行总线(USB)接口,具有轻巧精致、使用方便、便于携带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征,是大家理想的便携存储工具。闪存是采用一种新型的EEPROM内存(电可擦可写可编程只读内存),具有内存可擦可写可编程的优点,还具有写入的数据在断电后不会丢失的优点。而NAND容量可以做到很大,但其读写速度比较慢。

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