SiC MOSFET变温度参数模型仿真应选用Rohm罗姆的哪款器件模型
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展开1全部MOSFET样品在-160oC至200oC温度下进行测试，提取出每代器件在不同温度下的阈值电压、导通电阻等特征参数。分析比较了三代产品阈值电压、导通电阻随温度的变化趋势，以及不同温度下导通电阻与栅极电压的关系。运用建立物理模型的方法，对三代产品阈值电压、导通电阻各组成部分与温度的关系进行了比较研究。解释了SiC MOSFET的的温度变化率随产品更新而逐代降低的原因，是栅极SiO2/SiC存在的陷阱密度在逐代下降。通过计算机仿真拟合转移特性随温度的变化，验证了新产品的界面态密度的降低，同时SiC MOSFET的技术水平在近几年有显著提升。
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第一，你要让大家知道你的问题是什么。
第二，你要耐心等待，有些问题不是马上有人能回答的。
第三，请认真对待每个回答。
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去年以来最高纪录
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